東芝とSanDiskが75平方mmと小さな64Gbit NANDチップを開発
2015年03月05日 12:40
東芝と米国SanDiskの共同開発チームは、シリコンダイ面積が75平方mmと小さな64Gbit NANDフラッシュメモリを開発し、その技術概要を最先端半導体の国際会議「ISSCC 2015」で発表した(講演番号7.1)。メモリセルはMLC(2bit/セル)方式。製造技術は15nmときわめて微細である。データ入出力の転送速度は最大で533Mbit/sと高い。 講演では、メモリサブシステムの性能を高める方法から説明を始めた。メモリチップを数多く並べることで同時に読み出せるチャンネルの数を増やすことが普通に採用されていることを示した。ただしこの方法だと、メモリチップの数を増やすことでメモリサブシステムの消費電力が増加してしまう。消費電力の許容値がメモリチップの最大値を制限する。そこで東芝とSanDiskの共同開発チームは、メモリチップの消費電力を下げることでメモリサブシステムが搭載可能なチップ数を増やすことにした。